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SI3585DV-T1-E3-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI3585DV-T1-E3-VB商品编号
C5444644商品封装
TSOP-6包装方式
编带
商品毛重
0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
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