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IRF7311TRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRF7311TRPBF-VB

2个N沟道 耐压:20V 电流:7.1A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,20V；7.1A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.6~1.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF7311TRPBF-VB
商品编号
C5444629
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.162克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7.1A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@4.5V；26mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))600mV@250uA；1.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)9.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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