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IRFU5505PBF-VB实物图
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IRFU5505PBF-VB

1个P沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、电动车辆、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO251；；N—Channel沟道,-60V；-20A；RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFU5505PBF-VB
商品编号
C5444634
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.758克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))66mΩ@10V；80mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
输入电容(Ciss)1.2nF
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)200pF

数据手册PDF

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