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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFZ44RPBF-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，具有适中的电压容限和漏极电流，适用于中功率应用场景。TO220；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFZ44RPBF-VB
商品编号
C5444635
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.697克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V；28mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)66nC@5V
输入电容(Ciss)190pF@25V
反向传输电容(Crss)170pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

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