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IRFIZ24GPBF-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有高压、高电流的特点，适用于多种功率电路设计。TO220F；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFIZ24GPBF-VB
商品编号
C5444631
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.748克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)52W
栅极电荷量(Qg)95nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF@25V
反向传输电容(Crss)100pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

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