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IRFIZ24GPBF-VB

1个N沟道耐压:60V 电流:30A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有高压、高电流的特点，适用于多种功率电路设计。TO220F；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: IRFIZ24GPBF-VB
商品编号: C5444631
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.748克(g)

商品参数

WSD100N15DN56G是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD100N15DN56符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。