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IRF7811WTRPBF-VB

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: IRF7811WTRPBF-VB
商品编号: C5444630
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

WSF12N15是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF12N15符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的可靠性认证。