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AM4825P-T1-PF-VB

1个P沟道耐压:30V 电流:11.6A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: AM4825P-T1-PF-VB
商品编号: C5444618
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.191克(g)

商品参数

WSD4078DN56是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4078DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全功能可靠性认证，100%保证具有抗雪崩能力（EAS）。