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APM4550KC-TRL-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

APM4550KC-TRL-VB

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.8A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
APM4550KC-TRL-VB
商品编号
C5444623
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.176克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)2W
栅极电荷量(Qg)63nC@10V
输入电容(Ciss)510pF@20V
反向传输电容(Crss)33pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

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