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APM3009NUC-TRL-VB实物图
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APM3009NUC-TRL-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:25.8A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
APM3009NUC-TRL-VB
商品编号
C5444622
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)25.8A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)3.75W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)31.5nC@10V
输入电容(Ciss)2.201nF@15V
反向传输电容(Crss)270pF@15V
工作温度-55℃~+175℃

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