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APM3009NUC-TRL-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:25.8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- APM3009NUC-TRL-VB
- 商品编号
- C5444622
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
WSD60P06DN56是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD60P06DN56符合RoHS和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
-或门二极管-服务器-直流-直流转换器
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