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NCV8440ASTT3G
1个N沟道 耐压:59V 电流:2.6A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV8440ASTT3G
- 商品编号
- C604063
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 52V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 栅极与源极间的二极管钳位
- 静电放电(ESD)保护——人体模型 5000 V
- 有源过压栅极至漏极钳位
- 可扩展至更低或更高的导通电阻 RDS(on)
- 内部串联栅极电阻
- 这些是无铅器件
- 对感性负载具有高能量承受能力
- 低开关噪声产生
应用领域
- 汽车和工业市场:螺线管驱动器、灯驱动器、小型电机驱动器
- NCV 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q100 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力