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AP50N04Q
1个N沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 40 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1.0-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 10/13 连续漏极电流ID (A) 20
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP50N04Q
- 商品编号
- C5443700
- 商品封装
- PDFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12792克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 40V、20A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 13 mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 20 mΩ
- 先进沟槽技术
- 产品无铅
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理