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TK4A80E,S4X(S
1个N沟道 耐压:800V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8Ω（典型值）。 低泄漏电流：ILSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。 增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.4mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK4A80E,S4X(S
- 商品编号
- C5360504
- 商品封装
- TO-220SIS-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V,2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=2.8 Ω（典型值）
- 低漏电流：IDSS=10 μA（最大值，VDS=640 V）
- 增强模式：Vth=2.5 至 4.0 V（VDS=10 V，ID=0.4 mA）
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