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TK31J60W,S1VE(S
1个N沟道 耐压:600V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.073Ω（典型值），采用超级结结构：DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7V，VDS = 10V，ID = 1.5mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK31J60W,S1VE(S
- 商品编号
- C5361058
- 商品封装
- TO-3P(N)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V,15.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
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