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SSM6J216FE,LF(A
1个P沟道 耐压:12V
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- 描述
- 特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 88.1mΩ（最大值，VGS = -1.5V）。 -RDS(ON) = 56.0mΩ（最大值，VGS = -1.8V）。 -RDS(ON) = 39.3mΩ（最大值，VGS = -2.5V）。 -RDS(ON) = 32.0mΩ（最大值，VGS = -4.5V）。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J216FE,LF(A
- 商品编号
- C5362148
- 商品封装
- ES6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS）：最大500V，漏极电流（ID）：最大5A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 1A时，最大1.7Ω
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征