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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)实物图
  • TJ8S06M3L(T6L1,NQ)商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

1个P沟道 耐压:60V 电流:8A

品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
商品编号
C5362559
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))104mΩ@10V,4A
属性参数值
耗散功率(Pd)27W
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)890pF@10V

商品特性

  • 超低导通电阻:VDS = -30 V,ID = -10 A,VGS = -10 V 时,RDS(ON) ≤ 18 mΩ
  • 超低栅极电荷
  • 表面贴装器件

数据手册PDF