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TLP2768A(TP,E
光电耦合器，GaAs红外LED与光电IC
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- 描述
- 东芝TLP2768A由一个高输出的镓铝砷（GaAlAs）发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。TLP2768A保证隔离电压为5 kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TLP2768A(TP,E
- 商品编号
- C5362560
- 商品封装
- SO-6-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.198克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | - | |
| 正向压降(Vf) | 1.55V | |
| 输出电流 | 25mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 负载电压 | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 上升时间(tr) | 30ns | |
| 下降时间 | 30ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | - | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | - | |
| 总功耗(Pd) | - | |
| 正向电流(If) | 25mA |
商品概述
TLP2768A由一个高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。TLP2768A保证隔离电压为5 kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。它可在高达125 ℃的温度下工作，电源电压范围为2.7 V至5.5 V。 TLP2768A具有内部法拉第屏蔽，可保证±20 kV/μs的共模瞬态抗扰度。
商品特性
- 反相器逻辑类型（集电极开路输出）
- 封装：SO6L
- 工作温度：-40至125 ℃
- 数据传输速率：20 MBd（典型值）（NRZ）
- 阈值输入电流：5.0 mA（最大值）
- 电源电流：4 mA（最大值）
- 共模瞬态抗扰度：±20 kV/μs（最小值）
- 隔离电压：5000 Vrms（最小值）
- 安全标准 UL认证：UL1577，文件编号E67349 cUL认证：CSA组件验收服务编号5A，文件编号E67349 VDE认证：EN60747-5-5、EN60065、EN60950-1、EN 62368-1
应用领域
- 工厂网络
- 仪器仪表和控制设备的高速数字接口
- I/O接口板