温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
3SK293(TE85L,F)
N沟道双栅极MOS型场效应晶体管
- 描述
- 适用于电视调谐器、UHF RF放大器应用，具有出色的交叉调制性能
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 3SK293(TE85L,F)
- 商品编号
- C5362562
- 商品封装
- SC-82A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.016pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 优越的交叉调制性能
- 低反向传输电容：Crss = 16 fF（典型值）
- 低噪声系数：NF = 1.5 dB（典型值）