温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK34E10N1,S1X(S
1个N沟道 耐压:100V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK34E10N1,S1X(S
- 商品编号
- C5361059
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 103W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=7.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
- 低漏电流：I = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)
- 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (ΔVDS = 10 V, ID = 0.5 mA)
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单