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TK3R1P04PL,RQ(S2
TK3R1P04PL,RQ(S2
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK3R1P04PL,RQ(S2
- 商品编号
- C5361060
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小:QSW = 19 nC(典型值)
- 输出电荷小:Qoss = 42 nC(典型值)
- 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 2.5 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)
- 增强型:Vth = 1.4 至 2.4 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器