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IPSA70R2K0P7SAKMA1
1个N沟道 耐压:700V 电流:3A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- 商品编号
- C5361086
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 由于极低的品质因数RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss,损耗极低
- 出色的热性能
- 集成ESD保护二极管
- 低开关损耗(Eoss)
- 产品符合JEDEC标准进行验证
应用领域
-充电器中使用的反激式拓扑结构-适配器中使用的反激式拓扑结构-照明应用中使用的反激式拓扑结构
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