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TK100E06N1,S1X(S
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 60V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK100E06N1,S1X(S
- 商品编号
- C5361054
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.5nF |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.9 m Ω(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10\mu A(最大值)(VDS = 60V)
- 增强型:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)
应用领域
- 开关稳压器