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TK14E65W,S1X(S
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.22Ω（典型值），采用超结结构：DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5至3.5V，VDS = 10V，ID = 0.69mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK14E65W,S1X(S
- 商品编号
- C5361056
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,6.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 194W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 720 V）
- 增强型：Vth = 2.5 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.45 mA）
应用领域
- 开关稳压器