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TK15J50D(F)
1个N沟道 耐压:500V 电流:15A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.33Ω (典型值)。 高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 500V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK15J50D(F)
- 商品编号
- C5361057
- 商品封装
- SC-65
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
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