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TK5A90E,S4X(S
1个N沟道 耐压:900V
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）。 低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）（VRS = 720V）。 增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK5A90E,S4X(S
- 商品编号
- C5360505
- 商品封装
- TO-220SIS-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.443克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.4 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 60V）
- 增强型：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.3 mA）
应用领域
- 开关稳压器