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FDV303N(UMW)
N沟道 耐压:25V 电流:680mA
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- 描述
- 特性：VDS(V) = 25V。 ID = 0.68A。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 2.7V)。 Compact industry standard SOT-23 surface mount package。 Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits, VGS(TH)< 1V。 Gate-Source Zener for ESD ruggedness, >6kV Human Body Model
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDV303N(UMW)
- 商品编号
- C5340723
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V；600mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品特性
- V_DS(V) = 25V
- I_D = 0.68A
- R_DS(ON) < 200mΩ (V_GS = 4.5V)
- R_DS(ON) < 250mΩ (V_GS = 2.7V)
- 采用紧凑型行业标准SOT-23表面贴装封装。
- 极低的栅极驱动要求，允许直接在3V电路中工作，V_GS(th) < 1V。
- 栅源极齐纳二极管提供抗静电能力，人体模型静电放电等级 > 6kV。