温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK62N60W,S1VF
1个N沟道 耐压:600V 电流:61.8A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK62N60W,S1VF
- 商品编号
- C5340742
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF |
商品概述
AGM403Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.033Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强模式:Vth = 2.7 至 3.7 V(VDS = 10 V,ID = 3.1 mA)
应用领域
-开关稳压器
相似推荐
其他推荐