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FDN337N(UMW)
耐压:30V 电流:2.2A
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- 描述
- 特性：适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡和其他电池供电电路中的低电压应用。 低导通电阻：RDS(ON) < 65mΩ（VGS = 4.5V）；RDS(ON) < 82mΩ（VGS = 2.5V）。 漏源电压：VDS(V) = 30V。 漏极电流：ID = 2.2A（VGS = 4.5V）。应用：笔记本电脑。 便携式电话
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN337N(UMW)
- 商品编号
- C5340730
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |