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TK11S10N1L,LQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:11A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 23 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用：汽车。电机驱动器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK11S10N1L,LQ
- 商品编号
- C5340739
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
HSM4963是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM4963符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术