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TK20A60W,S5VX
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.13 Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK20A60W,S5VX
- 商品编号
- C5340740
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF@300V |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.13 Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS
- 易于控制栅极开关
- 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
应用领域
- 开关稳压器