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TK3P80E,RQ
1个N沟道 耐压:800V 电流:3A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.9Ω (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 640V)。 增强模式：VTH = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK3P80E,RQ
- 商品编号
- C5340741
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9Ω@10V,1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@25V |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=3.9 Ω (典型值)
- 低泄漏电流：IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 640 V)
- 增强模式：Vth = 2.5 至 4.0 V (ΔVDS = 10 V, ID = 0.3 mA)
应用领域
- 开关稳压器
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