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FDN360P(UMW)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDN360P(UMW)

P沟道 耐压:30V 电流:2A

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描述
特性:适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(VI) = 30V。 ID =-2A(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 80mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 125mΩ(VGS =-4.5V)。 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷(典型值6.2nC),更高的功率处理能力
商品型号
FDN360P(UMW)
商品编号
C5340729
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.043克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))63mΩ@10V
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))1.9V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6.2nC
输入电容(Ciss)298pF
反向传输电容(Crss)39pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)83pF

数据手册PDF