FDN360P(UMW)
P沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 特性:适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(VI) = 30V。 ID =-2A(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 80mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 125mΩ(VGS =-4.5V)。 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷(典型值6.2nC),更高的功率处理能力
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN360P(UMW)
- 商品编号
- C5340729
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 298pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
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