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FDN360P(UMW)
P沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 特性：适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(VI) = 30V。 ID =-2A（VGS =-10V）。 RDS(ON) < 80mΩ（VGS =-10V）。 RDS(ON) < 125mΩ（VGS =-4.5V）。 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷（典型值6.2nC），更高的功率处理能力
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN360P(UMW)
- 商品编号
- C5340729
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 298pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
商品概述
该器件非常适合需要低线路功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。
商品特性
- V_DS(V) = -30V
- I_D = -2A
- R_DS(ON) < 80mΩ (V_GS = -10V)
- R_DS(ON) < 125mΩ (V_GS = -4.5V)
- 采用行业标准SOT-23封装的高功率版本
- 采用高性能沟槽工艺，实现极低的R_DS(ON)
- 低栅极电荷（典型值6.2 nC）
- 更高的功率处理能力