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NTR4171PT1G(UMW)
耐压:30V 电流:2.2A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=-30V。 RDS(ON) < 75mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 110mΩ(VGS =-4.5V)。应用：便携式设备的电池和负载管理应用，如手机、个人数字助理、媒体播放器等
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NTR4171PT1G(UMW)
- 商品编号
- C5340726
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
AGM2319EL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 漏源电压(V) = -30 V
- 导通电阻 < 75 mΩ(栅源电压 = -10 V)
- 导通电阻 < 110 mΩ(栅源电压 = -4.5 V)
应用领域
- 负载开关
- 针对便携式设备(如手机、个人数字助理、媒体播放器等)的电池和负载管理应用进行优化