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AGM406AP
1个N沟道 耐压:40V 电流:53A
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- 描述
- AGM406AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM406AP
- 商品编号
- C5340052
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
VNN7NV04、VNS7NV04、VND7NV04、VND7NV04-1 是采用 VIPower M0-3 技术设计的单片器件，用于替代从直流到 50 kHz 应用中的标准功率 MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- ESD 保护
- 直接连接功率 MOSFET 的栅极（模拟驱动）
- 符合 2002/95/EC 欧洲指令，与标准功率 MOSFET 兼容