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AGM412MPA
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:45A
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- 描述
- AGM412MPA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM412MPA
- 商品编号
- C5340117
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A；45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V；1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V；30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.152nF；2.385nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF；162pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF；185pF |
商品概述
AGM40P35D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器
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