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AGM420MD
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:23A
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- 描述
- AGM420MD将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM420MD
- 商品编号
- C5340118
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 7A、650V，栅源电压为10V时，最大漏源导通电阻为1.6Ω
- 低栅极电荷（典型值29nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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