AGM40P35A
1个P沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM40P35A
- 商品编号
- C5340109
- 商品封装
- PDFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 248pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ESN4186是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻(RDS(ON))。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN4186为无铅产品。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 R\textDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
应用领域
-MB/VGA核心电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器
