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AGM40P35A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM40P35A

1个P沟道 耐压:40V 电流:60A

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品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM40P35A
商品编号
C5340109
商品封装
PDFN(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))17.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)72nC@10V
输入电容(Ciss)2.66nF
反向传输电容(Crss)248pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

ESN4186是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻(RDS(ON))。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN4186为无铅产品。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低 R\textDS(ON),以最大限度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻

应用领域

-MB/VGA核心电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器

数据手册PDF