温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM40P35A
1个P沟道 耐压:40V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM40P35A
- 商品编号
- C5340109
- 商品封装
- PDFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 248pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ESN4186是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN4186为无铅产品。
商品特性
- 45V，栅源电压（VGS）= 10V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)）= 16 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 4.5V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)）= 21 mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换