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AGM40P55A
1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- AGM40P55A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM40P55A
- 商品编号
- C5340111
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V；14.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 282pF |
商品概述
- 背光照明-电源管理功能-直流-直流转换器
商品特性
- VDS = -30 V
- ID = -44 A
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) 典型值为9 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) 典型值为14.7 mΩ