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AGM40P13S
1个P沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- AGM40P13S将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM40P13S
- 商品编号
- C5340106
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
AO4616采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。这种互补N沟道和P沟道MOSFET配置非常适合低输入电压逆变器应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 8 A（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 28 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
- 漏源电压VDS = -30 V
- 漏极电流ID = -7 A（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 22 mΩ（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 40 mΩ（栅源电压VGS = -4.5 V）