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AGM406Q
1个N沟道 耐压:40V 电流:53A
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- 描述
- AGM406Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM406Q
- 商品编号
- C5340103
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
AO4485是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4485为无铅产品。
商品特性
- -40V，栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 13mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 17mΩ（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换