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AGM401C
停产 1个N沟道 耐压:40V 电流:220A
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- 描述
- AGM401C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM401C
- 商品编号
- C5340044
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 167W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 134.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.755nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.033 Ω（典型值）
- 栅极开关易于控制
- 增强型：V_th = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，ID = 3.1 mA）
应用领域
-开关稳压器