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AGM402A
1个N沟道 耐压:40V 电流:110A
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- 描述
- AGM402A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM402A
- 商品编号
- C5340045
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.07nF |
商品概述
UTC 12N65 是 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 UTC 专有的平面条形和 DMOS 技术制造。 这些器件适用于高效开关模式电源。为了最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能并承受雪崩和换向模式下的高能脉冲，专门采用了先进技术。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS 测试
应用领域
-主板/显卡核心电压-开关电源二次侧同步整流-负载点应用-无刷直流电机驱动器