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WNMD2202-4/TR
WNMD2202-4/TR
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNMD2202-4/TR
- 商品编号
- C5290316
- 商品封装
- CSP-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 560mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
WNMD2190 是一款双 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，由于 MOSFET1 和 MOSFET2 的漏极在内部已连接，因此无需在电路板上连接漏极。该器件采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RSS(ON)）。此产品专为锂离子电池保护电路设计，采用 CSP-6L 封装。标准产品 WNMD2190 为无铅、无卤产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻，适用于更高的直流电流
- 极低的阈值电压
- 共漏类型
- 小型 CSP-6L 封装
应用领域
- 锂离子电池保护电路