WCR1K2N65TG-3/TR
WCR1K2N65TG-3/TR
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WCR1K2N65TG-3/TR
- 商品编号
- C5290318
- 商品封装
- TO-252E-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V,2.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 272pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WNMD2188 是双 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，由于 MOSFET1 和 MOSFET2 的漏极在内部相连，因此无需在电路板上连接漏极。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2188 采用 CSP-10L 封装。标准产品 WNMD2188 无铅且无卤素。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻，适用于更高的直流电流
- 极低的阈值电压
- 共漏极类型
- 小封装 CSP-10L
应用领域
- 锂离子电池保护电路