WCR250N65TF-3/T
WCR250N65TF-3/T
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WCR250N65TF-3/T
- 商品编号
- C5290319
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.206nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WNMD2202 是一款双 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，由于 MOSFET1 和 MOSFET2 的漏极在内部已连接，因此无需在电路板上连接漏极。该器件采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RSS(ON)）。此器件专为锂离子电池保护电路设计，采用 CSP4L 封装。标准产品 WNMD2202 无铅且无卤。
商品特性
- 700V@TJ=150°C
- 典型RDS(on) = 0.21Ω
- 低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 100%栅极电阻测试
应用领域
- 锂离子电池保护电路