温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7807TR(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7807TR(UMW)
- 商品编号
- C5290358
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V；14.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V
- 导通电阻(RDS(ON)) < 13.8 mΩ(栅源电压VGS = 10 V)
- 导通电阻(RDS(ON)) < 18.2 mΩ(栅源电压VGS = 4.5 V)
应用领域
- 用于显卡和负载点(POL)的同步整流MOSFET
- 网络和电信系统中的转换器
- 笔记本电脑处理器的控制场效应晶体管(FET)
- 电源