温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7413TR(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:13A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7413TR(UMW)
- 商品编号
- C5290359
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF |
商品概述
IRF7413TR采用先进的沟槽技术，实现了优异的导通电阻与低栅极电荷。该器件适用于负载开关或脉宽调制应用。
应用领域
- 第五代技术
- 超低导通电阻
- N沟道MOSFET
- 表面贴装
- 卷带包装
- FDN336P(UMW)
- FDN308P(UMW)
- FDN339AN(UMW)
- IRLML2030TR(UMW)
- FDN361BN(UMW)
- FDN359BN(UMW)
- FDN359AN(UMW)
- IRLML2060TR(UMW)
- NSi8100W
- MX128-5.0-04P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-05P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-06P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-07P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-08P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-09P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-10P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-12P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-04P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-05P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-06P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-07P-GN01-Cu-Y-A