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FDN339AN(UMW)
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 该N沟道2.5V特定MOSFET经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN339AN(UMW)
- 商品编号
- C5290362
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |