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FDN361BN(UMW)
耐压:30V 电流:1.4A
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- 描述
- 特性：特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡和其他电池供电电路中的低电压应用，需要在非常小的外形表面贴装封装中实现快速开关和低在线功率损耗。 VDS(V) = 30V。 RDS(Ou) < 110mΩ (VGS = 10V)。 RDS(Ou) < 160mΩ (VGS = 4.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN361BN(UMW)
- 商品编号
- C5290364
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ@10V；120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 145pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
该器件特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡以及其他电池供电电路中的低电压应用，这些应用需要在非常小尺寸的表面贴装封装内实现快速开关和低线路功率损耗。
商品特性
- 漏源电压 V_DS(V) = 30 V
- 导通电阻 R_DS(ON) < 55 mΩ (栅源电压 V_GS = 10 V)
- 导通电阻 R_DS(ON) < 70 mΩ (栅源电压 V_GS = 4.5 V)
- FDN359BN(UMW)
- FDN359AN(UMW)
- IRLML2060TR(UMW)
- NSi8100W
- MX128-5.0-04P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-05P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-06P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-07P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-08P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-09P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-10P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-12P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-04P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-05P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-06P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-07P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-08P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-09P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-10P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-12P-GN01-Cu-Y-A
- MX35C-8.25-02P-BK01-Cu-S-A