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FDN359BN(UMW)
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.7A
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- 描述
- 此N沟道逻辑电平MOSFET采用专门定制的工艺生产，可最大限度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN359BN(UMW)
- 商品编号
- C5290365
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
- FDN359AN(UMW)
- IRLML2060TR(UMW)
- NSi8100W
- MX128-5.0-04P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-05P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-06P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-07P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-08P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-09P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-10P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-12P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-04P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-05P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-06P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-07P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-08P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-09P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-10P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-12P-GN01-Cu-Y-A
- MX35C-8.25-02P-BK01-Cu-S-A
- MX35C-8.25-03P-BK01-Cu-S-A