FDN308P(UMW)
P沟道 耐压:20V 电流:1.5A
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- 描述
- 特性:采用先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本。 针对电源管理应用进行了优化,具有宽范围的栅极驱动电压(2.5V-12V)。 VDS(V) = -20V。 RDS(On) < 100mΩ(VGS = -4.5V)。 RDS(On) = 120mΩ(VGS = -2.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN308P(UMW)
- 商品编号
- C5290361
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@4.5V;120mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 341pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
商品概述
这款P沟道2.5V规格的MOSFET采用了基于Fairchild先进PowerTrench工艺的增强型栅极版本。它针对电源管理应用进行了优化,具有宽范围的栅极驱动电压(2.5V~12V)。
商品特性
- VDS = -20V
- RDS(ON) < 70mΩ (VGS = -4.5V)
- RDS(ON) < 85mΩ (VGS = -2.5V)
- FDN339AN(UMW)
- IRLML2030TR(UMW)
- FDN361BN(UMW)
- FDN359BN(UMW)
- FDN359AN(UMW)
- IRLML2060TR(UMW)
- NSi8100W
- MX128-5.0-04P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-05P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-06P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-07P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-08P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-09P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-10P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.0-12P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-04P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-05P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-06P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-07P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-08P-GN01-Cu-Y-A
- MX128-5.08-09P-GN01-Cu-Y-A


