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FDN308P(UMW)
P沟道 耐压:20V 电流:1.5A
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- 描述
- 特性：采用先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本。 针对电源管理应用进行了优化，具有宽范围的栅极驱动电压（2.5V-12V）。 VDS(V) = -20V。 RDS(On) < 100mΩ（VGS = -4.5V）。 RDS(On) = 120mΩ（VGS = -2.5V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN308P(UMW)
- 商品编号
- C5290361
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@4.5V；120mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 341pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
商品特性
- VDS(V) = 27 V
- RDS(ON) < 46 mΩ (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 60 mΩ (VGS = 4.5 V)